微语录精选0607：高考有多重要？

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在之前的研究中，录精人们提出了多种可能的物理解释，录精如电子空穴补偿、高迁移率、复杂的自旋结构等，然而到目前为止，WTe2中产生巨磁阻的根本原因仍然存在争议。近日，多重缪峰教授课题组利用原位栅压调控方法，多重证明了WTe2中的电子空穴补偿是不饱和磁电阻产生的根本原因，同时在薄膜WTe2中实现了高达10600%的巨大磁电阻（比以往研究报道中类似厚度薄膜的磁电阻高出1-2个量级）。

南京大学物理学院博士王瑶佳、微语博士生王利铮为该工作共同第一作者，缪峰教授和梁世军副研究员为该工作的共同通讯作者。录精磁电阻以及电子空穴浓度比随栅压的变化。为了避免薄膜的氧化，多重缪峰课题组利用干法转移技术制作了h-BN保护的高质量WTe2薄膜器件(如图a所示，多重薄膜厚度约10 nm)，同时利用h-BN作为栅介质原位调控WTe2中的载流子浓度。

【前言】三十年前，微语磁性多层结构中巨磁阻效应的发现直接导致了固态存储硬盘的小型化革命。但是，录精在2014年，有实验发现非磁性块体材料二锑化钨（WTe2）在低温下电阻随磁场的增加出现不饱和增长现象，磁电阻在60 T时达到

通过在室温下简单的混合处理，多重钠钾液态合金就会自发地扩散填充进预先处理过的碳骨架集流体当中（carbonpaper）。

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目前OculusRift已经在自家的官方网站上进行销售，多重总价为599.99美元，其中包括Xbox控制器和几款VR游戏。一想到再过几天就能拿到OculusRift的最终成品，微语总让人感觉难以置信。

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